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EM6K7T2CR Especificaciones técnicas

1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ω @ 200mA, 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 1.4Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 150mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA Ta
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Feature Standard
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Otros incluyen   "EM6K7"   partes

Las siguientes partes incluyen  'EM6K7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
EM6K7 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
EM6K7 G T2R LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 48000
EM6K7 T2R ROHM CIs Calientes Especializados 13904
EM6K7 T4R ROHM CIs Calientes Especializados 2604
EM6K7T2R LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 30545
EM6K7T2R ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
EM6K7T2R MOS LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 24478

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