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DTD513ZMGT2L Especificaciones técnicas
DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | SOT-723 |
Part Status | Active |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Resistor - Base (R1) | 1 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequency - Transition | 260MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
DTD513ZMGT2L Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTD513ZMGT2L
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTD51" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTD51'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTD513ZETL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2865 |
DTD513ZETL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD513ZM | ROHM | CIs Calientes Especializados | 280000 |
DTD513ZMGT2L | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 8752 |
DTD513ZMGT2L | ROHM | CIs Calientes Especializados | 8901 |
DTD513ZMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 8226 |
DTD513ZMT2L | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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