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DTD114GKT146 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 200mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Continuous Collector Current | 500mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 500mA |
Base Part Number | DTD114 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Frequency - Transition | 200MHz |
hFE Min | 56 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTD114GKT146 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTD114GKT146
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTD11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTD11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTD113ECHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2561 |
DTD113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113ECT116 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2500 |
DTD113ECT116 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113EK | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1133 |
DTD113EK T146 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 39000 |
DTD113EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113EKT146 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 12204 |
DTD113EKT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTD113ES | ROHM | CIs Calientes Especializados | 7200 |
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