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DTD114ECT116 Especificaciones técnicas

NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
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Las siguientes partes incluyen  'DTD11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTD113ECHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2561
DTD113ECHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTD113ECT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2500
DTD113ECT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTD113EK ROHM CIs Calientes Especializados 1133
DTD113EK T146 ROHM CIs Calientes Especializados 39000
DTD113EKFRAT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTD113EKT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 12204
DTD113EKT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTD113ES ROHM CIs Calientes Especializados 7200

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