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DTC124EMT2L Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2006
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
Current Rating 30mA
Base Part Number DTC124
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 30mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 56
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "DTC12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'DTC12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC123-JS ROHM CIs Calientes Especializados 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EE ROHM CIs Calientes Especializados 3294
DTC123EE TL ROHM CIs Calientes Especializados 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30000

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