DTC123JETL Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number DTC123
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC123-JS ROHM CIs Calientes Especializados 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EE ROHM CIs Calientes Especializados 3294
DTC123EE TL ROHM CIs Calientes Especializados 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30000

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