DTC024XUBTL Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SC
Transistor Element Material SILICON
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type NPN
Max Collector Current 50mA
Transition Frequency 250MHz
DC Current Gain-Min (hFE) 80
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 85
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Discontinued
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.1
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 150mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC023EEB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
DTC023EEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 6327
DTC023EEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC023EM ROHM CIs Calientes Especializados 4406
DTC023EM T2L LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 40327
DTC023EMT2L LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 104471
DTC023EMT2L ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC023EUB LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 150000
DTC023EUBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2614
DTC023EUBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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