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DTC023JEBTL Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 5mA |
Max Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Output Voltage | 70mV |
Polarity | NPN |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTC023JEBTL Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTC023JEBTL
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTC02" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTC02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTC023EEB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
DTC023EEBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 6327 |
DTC023EEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC023EM | ROHM | CIs Calientes Especializados | 4406 |
DTC023EM T2L | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 40327 |
DTC023EMT2L | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 104471 |
DTC023EMT2L | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTC023EUB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
DTC023EUBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2614 |
DTC023EUBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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