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DTC015EUBTL Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SC
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
DC Current Gain-Min (hFE) 80
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 85
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form FLAT
Output Voltage 40mV
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 20mA
Max Frequency 250MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTC013ZEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 600
DTC013ZEBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC013ZMT2L LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2717
DTC013ZMT2L ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC013ZMT2L IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 40239
DTC013ZUBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2725
DTC013ZUBTL ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTC014EEB ROHM CIs Calientes Especializados 3288
DTC014EEB TL ROHM CIs Calientes Especializados 1532385
DTC014EEBTL LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 30597

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