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DTA115TUAT106 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Number of Pins | 3 |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 200mW |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -100mA |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Max Collector Current | 100mA |
Transition Frequency | 250MHz |
hFE Min | 100 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTA115TUAT106 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTA115TUAT106
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTA11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA1132KA | ROHM | CIs Calientes Especializados | 24000 |
DTA1135EKAT146 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3400 |
DTA113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 12000 |
DTA113EET1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2749 |
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113TKA T146 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11747 |
DTA113TKA T146 IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11783 |
DTA113TKAT146 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2608 |
DTA113TKAT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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