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DTA114ESATP Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | SC-72 Formed Leads |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Current Rating | -50mA |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 300mW |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Transition Frequency | 250MHz |
hFE Min | 30 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Published | 2007 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 300mW |
Base Part Number | DTA114 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 50mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTA114ESATP Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTA114ESATP
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTA11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA1132KA | ROHM | CIs Calientes Especializados | 24000 |
DTA1135EKAT146 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3400 |
DTA113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 12000 |
DTA113EET1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2749 |
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113TKA T146 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11747 |
DTA113TKA T146 IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11783 |
DTA113TKAT146 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2608 |
DTA113TKAT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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104400102103
Dialight
PMI BASE 1INCAN S-6 CNDLBR SLDR
MA203.A.AB.045
Taoglas
ANT PENTA BAND STINGRAY
GP1M009A050HS
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
2N7053_D26Z
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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101503009201
Dialight
PMI BASE 15/32 INCAND MIDG SLDR
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Sensores Ópticos ...
Manga de Soldadura
Transmisores de RF
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