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DTA114ECAHZGT116
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DTA114ECAHZGT116 Especificaciones técnicas
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Transition Frequency | 250MHz |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
Collector-Emitter Voltage-Max | 50V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 350mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTA114ECAHZGT116 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTA114ECAHZGT116
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Hojas de datos
Otros incluyen "DTA11" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA1132KA | ROHM | CIs Calientes Especializados | 24000 |
DTA1135EKAT146 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 3400 |
DTA113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 12000 |
DTA113EET1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2749 |
DTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA113TKA T146 | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11747 |
DTA113TKA T146 IC | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11783 |
DTA113TKAT146 | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2608 |
DTA113TKAT146 | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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