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DTA113ZKAT146 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Published 1998
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number DTA113
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 1 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity PNP
Power Dissipation 200mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 33
Continuous Collector Current -7.2mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'DTA11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DTA1132KA ROHM CIs Calientes Especializados 24000
DTA1135EKAT146 ROHM CIs Calientes Especializados 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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