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DTA014EMT2L Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 50mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 5mA |
Max Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -2.6V |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Terminal Position | DUAL |
Output Voltage | -70mV |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 150mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Frequency - Transition | 250MHz |
hFE Min | 35 |
Continuous Collector Current | -100mA |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
DTA014EMT2L Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DTA014EMT2L
-
Hojas de datos
Otros incluyen "DTA01" partes
Las siguientes partes incluyen 'DTA01'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DTA013ZEBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 15364 |
DTA013ZEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA013ZM | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 150000 |
DTA013ZMT2L | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
DTA013ZUB | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6419 |
DTA013ZUBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 3000 |
DTA013ZUBTL | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
DTA014EEB TL | ROHM | CIs Calientes Especializados | 162000 |
DTA014EEBTL | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 41202 |
DTA014EEBTL | ROHM Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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