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BSM300D12P2E001 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 25 Weeks |
Mounting Type | Chassis Mount |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2015 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Power - Max | 1875W |
Transistor Application | SWITCHING |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 35000pF @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V 1.2kV |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 600A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | Module |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 11 |
Max Power Dissipation | 1.875kW |
Terminal Form | UNSPECIFIED |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-XUFM-X11 |
Configuration | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 68mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A Tc |
Continuous Drain Current (ID) | 300A |
DS Breakdown Voltage-Min | 1200V |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
BSM300D12P2E001 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSM300D12P2E001
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSM30" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSM30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSM3000GB120DLC | NO | CIs Calientes Especializados | 2890 |
BSM300B170DN2 | SIEMENS | Módulos IGBT | 2669 |
BSM300D12P2E001 | LAPIS Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2527 |
BSM300D12P3E005 | ROHM Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSM300GA100D | EUPEC | Módulos IGBT | 2517 |
BSM300GA120 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1253 |
BSM300GA120 DN2S E3256 | EUPEC | CIs Especializados | 1499 |
BSM300GA120DLC | EUPEC | Módulos IGBT | 2835 |
BSM300GA120DLCFS-E3256 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2779 |
BSM300GA120DLCHOSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Módulos | 2566 |
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