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BSM080D12P2C008 Especificaciones técnicas

SIC POWER MODULE-1200V-80A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Package / Case Module
Number of Pins 10
Packaging Tray
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 13.2mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Continuous Drain Current (ID) 80A
DS Breakdown Voltage-Min 1200V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature 175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Max Power Dissipation 600W
Terminal Form UNSPECIFIED
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-XUFM-X8
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V 1.2kV
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BSM080D12P2C008 LAPIS Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2540

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BSM080D12P2C008 fabricantes de marca: ROHM Semiconductor, Bonchip existencias, BSM080D12P2C008 precio de referencia. BSM080D12P2C008 parámetros, BSM080D12P2C008 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el BSM080D12P2C008 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar BSM080D12P2C008 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, BSM080D12P2C008 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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