2SA2018TL Especificaciones técnicas

2SA2018TL datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 260MHz
Base Part Number 2SA2018
Number of Elements 1
Power Dissipation 150mW
Gain Bandwidth Product 260MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Collector Emitter Saturation Voltage -100mV
Collector Base Voltage (VCBO) -15V
hFE Min 270
Height 700μm
Width 900μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Copper, Silver, Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -500mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Transition Frequency 260MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current -500mA
Length 1.7mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Otros incluyen   "2SA20"   partes

Las siguientes partes incluyen  '2SA20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SA2002-T112-E MITSUBI CIs Calientes Especializados 5500
2SA2003 SANKEN CIs Calientes Especializados 2526
2SA2004 Panasonic CIs Calientes Especializados 697
2SA2005 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 30
2SA2005E ROHM CIs Calientes Especializados 913
2SA2005FU6E FAIRVIEW CIs Calientes Especializados 1038
2SA2006 Original CIs Calientes Especializados 907
2SA2007 LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 852
2SA2007E LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2519
2SA2007E ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales

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