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UNR52A8G0L
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UNR52A8G0L Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | Panasonic |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 5.1k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-85 |
Frequency - Transition | 150MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SMini3-F2 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 510 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para UNR52A8G0L
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Hojas de datos
UNR52A8G0L.pdf
Otros incluyen "UNR52" partes
Las siguientes partes incluyen 'UNR52'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
UNR521000L | Panasonic | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 5400 |
UNR521000L | Panasonic Electronic Components | Transistores BJT Pre-Biasados | |
UNR5210G0L | Panasonic | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 4942 |
UNR5210G0L | Panasonic Electronic Components | Transistores BJT Pre-Biasados | |
UNR5210GOL | Panasonic | CIs Calientes Especializados | 30000 |
UNR5211 | Panasonic | CIs Calientes Especializados | 255216 |
UNR521100L | Panasonic | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 416 |
UNR521100L | Panasonic Electronic Components | Transistores BJT Pre-Biasados | |
UNR521100L IC | Panasonic | CIs Calientes Especializados | 571 |
UNR5211G0L | Panasonic | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 195328 |
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