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TA810PW820RJE
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TA810PW820RJE Especificaciones técnicas
RES 820 OHM 10W 5% RADIAL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Resistencias / Resistores de Agujero Pasante |
Manufacturer | Ohmite |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Tolerance | ±5% |
Supplier Device Package | Powerchip® |
Series | Power Chip® TA |
Power (Watts) | 10W |
Package / Case | Radial |
Number of Terminations | 4 |
Features | - |
Composition | Thick Film |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Temperature Coefficient | ±50ppm/°C |
Size / Dimension | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Resistance (Ohms) | 820 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 180°C |
Height - Seated (Max) | 1.020" (25.91mm) |
Failure Rate | - |
TA810PW820RJE Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para TA810PW820RJE
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Hojas de datos
TA810PW820RJE.pdf
Otros incluyen "TA810" partes
Las siguientes partes incluyen 'TA810'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TA8101F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 510 |
TA8101N | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 37 |
TA8102P | TOSH | CIs Calientes Especializados | 2563 |
TA8103F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2646 |
TA8104F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 591 |
TA8104F-TP1 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1703 |
TA8106F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 1243 |
TA8106F MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 559 |
TA8106FG | TOS | CIs Calientes Especializados | 2693 |
TA8106FG(M) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 88 |
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