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SSD2025TF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 48 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Number of Elements 2
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Rise Time 18ns
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 3A
Power Dissipation 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 3.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.3A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSD20 Bussmann (Eaton) Fusibles Especiales, Eléctricos 2716
SSD20 Eaton - Bussmann Electrical Division Fusibles Eléctricos
SSD2002-TF SAMSUNG CIs Calientes Especializados 2302
SSD2002ATF S CIs Calientes Especializados 2469
SSD2002ATF. SAMSUNG CIs Calientes Especializados 2780
SSD2002STF Samsung Semiconductor CIs Calientes Especializados 2500
SSD2002TF SAMSUNG CIs Calientes Especializados 3397
SSD2003 S CIs Calientes Especializados 33000
SSD2003 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19265
SSD2003-TF Original CIs Calientes Especializados 33500

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