SPZT2907AT1G Especificaciones técnicas

SPZT2907AT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 1.5W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number PZT2907A
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.5W
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Transition Frequency 200MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Frequency 200MHz
Pin Count 4
Configuration SINGLE
Case Connection COLLECTOR
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPZT2222AT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2530
SPZT2222AT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
SPZT2907AT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2574

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