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SMUN5313DW1T3G Especificaciones técnicas

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Max Power Dissipation 187mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Operating Temperature (Max) 150°C
Number of Elements 2
Power - Max 187mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Operating Temperature (Min) -55°C
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'SMUN5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SMUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2528
SMUN5111DW1T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SMUN5111DW1T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3218
SMUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 7106
SMUN5111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5112DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3325
SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
SMUN5112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2526
SMUN5112T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5113DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2640

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