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SMUN5214DW1T1G Especificaciones técnicas

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Max Output Current 100mA
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Frequency 10kHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Height 1mm
Width 1.35mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
Max Power Dissipation 187mW
Base Part Number MUN52**DW1T
Reference Standard AEC-Q101
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Length 2.2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'SMUN5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SMUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2528
SMUN5111DW1T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
SMUN5111DW1T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3218
SMUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 7106
SMUN5111T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5112DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 3325
SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
SMUN5112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2526
SMUN5112T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
SMUN5113DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2640

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