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SMUN5114DW1T1G Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | GULL WING |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7 |
Max Power Dissipation | 187mW |
Base Part Number | MUN51**DW1T |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
SMUN5114DW1T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SMUN5114DW1T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "SMUN5" partes
Las siguientes partes incluyen 'SMUN5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SMUN5111DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2528 |
SMUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
SMUN5111DW1T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3218 |
SMUN5111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 7106 |
SMUN5111T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
SMUN5112DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 3325 |
SMUN5112DW1T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
SMUN5112T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2526 |
SMUN5112T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
SMUN5113DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2640 |
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