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SMUN2212T1G Especificaciones técnicas
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Base Part Number | MUN2212 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 22 k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 230mW |
Terminal Form | GULL WING |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
SMUN2212T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SMUN2212T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "SMUN2" partes
Las siguientes partes incluyen 'SMUN2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SMUN2111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2564 |
SMUN2111T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
SMUN2111T3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2764 |
SMUN2111T3G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
SMUN2113T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2526 |
SMUN2113T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
SMUN2114T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 3129 |
SMUN2114T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
SMUN2211T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 16550 |
SMUN2211T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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