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SGW10N60RUFDTM Especificaciones técnicas

SGW10N60RUFDTM datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 60ns
Current - Collector (Ic) (Max) 16A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A
Current - Collector Pulsed (Icm) 30A
Switching Energy 141μJ (on), 215μJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Base Part Number SG*10N60
Power - Max 75W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge 30nC
Td (on/off) @ 25°C 15ns/36ns
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Otros incluyen   "SGW10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SGW10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SGW10N60 G10N60 Original CIs Calientes Especializados 2083
SGW10N60AFKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2703
SGW10N60AFKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SGW10N60RUFD FSC CIs Calientes Especializados 4400
SGW10N60RUFDTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 882
SGW10N60RUFDTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2828

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