SBSP52T1G Especificaciones técnicas

SBSP52T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 1997
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 800mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Polarity NPN
Power - Max 800mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 500μA, 500mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SBSP52T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2620

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