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NVTA7002NT1G Especificaciones técnicas

Single N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 30V, 154mA, 7O Automotive version of the NTA7002N

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Power Dissipation-Max 300mW Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 154mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 154mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.154A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
Package / Case SC-75, SOT-416
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ω @ 154mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±10V
Turn-Off Delay Time 98 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 10V
Drain-source On Resistance-Max 7.5Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 6 pF
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NVTA7002NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2518

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