NVE4153NT1G Especificaciones técnicas

NVE4153NT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-89, SOT-490
Weight 29.993795mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 915mA Ta
Rise Time 4.4ns
Vgs (Max) ±6V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Threshold Voltage 760mV
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Length 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 300mW Tj
Turn On Delay Time 3.7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230m Ω @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.82nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 7.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 915mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 6V
Height 800μm
Width 950μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NVE4153NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2630

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