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NVD5862NT4G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 4.1W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7m Ω @ 48A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 35 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0057Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 205 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | LIFETIME (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 4.1W Ta 115W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A Ta 98A Tc |
Rise Time | 70ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 18A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 98A |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NVD5862NT4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NVD5862NT4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NVD58" partes
Las siguientes partes incluyen 'NVD58'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NVD5802NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 42776 |
NVD5802NT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 498 |
NVD5802NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NVD5802NT4G-TB01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2645 |
NVD5802NT4G-VF01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2660 |
NVD5803N | ON | CIs Calientes Especializados | 37443 |
NVD5803NT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 2987 |
NVD5803NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NVD5803NT4G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 12991 |
NVD5805NT4G | VB | CIs Calientes Especializados | 79923 |
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