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NUS5530MNR2G Especificaciones técnicas
NUS5530MNR2G datasheet pdf and Transistors - Special Purpose product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores Especializados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Voltage - Rated | 35V PNP 20V P-Channel |
Current Rating (Amps) | 2A PNP 3.9A P-Channel |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 8 |
Rise Time-Max | 55ns |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN, P-Channel |
Max Collector Current | 2A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | -35V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20A |
DS Breakdown Voltage-Min | 20V |
Collector Base Voltage (VCBO) | -55V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
VCEsat-Max | 0.3 V |
Height | 950μm |
Width | 3.3mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
Number of Pins | 8 |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Applications | General Purpose |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 2.5W |
Current Rating | 3.9A |
Base Part Number | NUS5530MN |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 635mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 35V |
Continuous Drain Current (ID) | -3.9A |
Max Frequency | 100MHz |
Collector Emitter Saturation Voltage | -100mV |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Emitter Base Voltage (VEBO) | -5V |
Drain to Source Resistance | 200Ohm |
Fall Time-Max (tf) | 70ns |
Length | 3.3mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NUS5530MNR2G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NUS5530MNR2G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NUS55" partes
Las siguientes partes incluyen 'NUS55'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NUS5530MNR2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Propósito Especial | 44085 |
NUS5530MNR2G IC | 0N | CIs Calientes Especializados | 4041 |
NUS5530MNR2G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2226 |
NUS5531MTR2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Propósito Especial | 58819 |
NUS5531MTR2G | ON Semiconductor | Transistores Especializados | |
NUS5531MTR2G | Rochester Electronics, LLC | Transistores Especializados |
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