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NUS2401SNT1G Especificaciones técnicas

Bipolar Transistors - Pre-Biased 200mA 50V Integrated NPN/PNP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 200mA
Base Part Number NUS2401
Number of Elements 3
Configuration COMPLEX
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 200mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300μA, 10mA
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 150
Resistor - Base (R1) 175 Ω, 10k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 175 Ω, 10k Ω
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case SC-74, SOT-457
Number of Pins 6
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTORS
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 350mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
DC Current Gain-Min (hFE) 150
Continuous Collector Current 200mA
Height 1mm
Width 1.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'NUS24' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NUS2401SNT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 6000
NUS2401SNT1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NUS2401SNT1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NUS2401SNT1 IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6238
NUS2401SNT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 39743

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