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NTQD6866R2G Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | 20V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 6.9A |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32m Ω @ 6.9A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 16V |
Rise Time | 45ns |
Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
FET Feature | Logic Level Gate |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Max Power Dissipation | 940mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation | 2W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Fall Time (Typ) | 90 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.7A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.032Ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 175 pF |
Lead Free | Lead Free |
NTQD6866R2G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTQD6866R2G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTQD6" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTQD6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTQD6866R2 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 1176 |
NTQD6866R2 | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTQD6866R2 | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTQD6866R2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2730 |
NTQD6866R2G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTQD6968N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2716 |
NTQD6968N | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTQD6968N | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTQD6968NR2 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2740 |
NTQD6968NR2 | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs |
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