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NTP082N65S3F Especificaciones técnicas

NTP082N65S3F datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case TO-220-3
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 313W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3410pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series FRFET®, SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±30V
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NTP082N65S3F AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2508

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