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NTMFS4833NT1G Especificaciones técnicas
NTMFS4833NT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.35W |
Turn On Delay Time | 25 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A Ta 156A Tc |
Rise Time | 34ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Threshold Voltage | 1.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Height | 1mm |
Width | 5.8mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 2MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 6 |
Power Dissipation-Max | 910mW Ta 125W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 11.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 17 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 191A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 288A |
Length | 4.9mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTMFS4833NT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTMFS4833NT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTMFS" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTMFS'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTMFS08N003C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2788 |
NTMFS08N004C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2586 |
NTMFS08N2D5C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
NTMFS08N2D5C | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTMFS10N3D2C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2709 |
NTMFS10N3D2C | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTMFS10N7D2C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2541 |
NTMFS4108N | ON | CIs Calientes Especializados | 728 |
NTMFS4108NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2310 |
NTMFS4108NT1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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