NTMD6N02R2G Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 45 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 6A
Base Part Number NTMD6N02
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35m Ω @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 80 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.5A
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 360 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 35MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 8
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Power - Max 730mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.92A
Rise Time 50ns
Turn-Off Delay Time 45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 900 mV
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTMD6601NR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3104
NTMD6601NR2G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6601NR2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6M02R2 ON CIs Calientes Especializados 2508
NTMD6N02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2532
NTMD6N02DR2G ON CIs Calientes Especializados 43921
NTMD6N02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2615
NTMD6N02R2 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6N02R2 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6N02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7223

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