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NTLJD3119CTBG Especificaciones técnicas
NTLJD3119CTBG datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Subcategory | Other Transistors |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | NTLJD3119C |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5.2 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65m Ω @ 3.8A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Fall Time (Typ) | 13.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.6A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Nominal Vgs | 700 mV |
Length | 2mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | µCool™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 710mW |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 710mW |
FET Type | N and P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A 2.3A |
Rise Time | 13.2ns |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Turn-Off Delay Time | 13.7 ns |
Threshold Voltage | 700mV |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3.8A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 18A |
FET Feature | Logic Level Gate |
Height | 750μm |
Width | 2mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NTLJD3119CTBG Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTLJD3119CTBG
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTLJD" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTLJD'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTLJD2104PTAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2694 |
NTLJD2104PTAG | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTLJD2104PTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2676 |
NTLJD2104PTBG | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTLJD2104PTBG | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTLJD2105LTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 3486 |
NTLJD2105LTBG | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTLJD2105LTBG | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTLJD3115PT | ON | CIs Calientes Especializados | 759 |
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