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NTL4502NT1 Especificaciones técnicas

MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 16-PowerQFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Max Power Dissipation 1.7W
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 2.9W
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1605pF @ 20V
Rise Time 28ns
Turn-Off Delay Time 22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 24V
Avalanche Energy Rating (Eas) 80 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 16
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 16
Terminal Finish Tin/Lead (Sn90Pb10)
Voltage - Rated DC 24V
Terminal Position QUAD
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 15A
Pin Count 16
Number of Elements 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 11.4A
Drain-source On Resistance-Max 0.013Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTL4502NT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2575
NTL4502NT1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs

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