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NTJS4151PT1G Especificaciones técnicas
NTJS4151PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Resistance | 47MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -3.3A |
Pin Count | 6 |
Power Dissipation-Max | 1W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 850 ps |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A Ta |
Rise Time | 1.7ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 4.2 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.2A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Height | 1mm |
Width | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 3.3A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±12V |
Turn-Off Delay Time | 2.7 ns |
Threshold Voltage | -400mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Length | 2.2mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTJS4151PT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTJS4151PT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTJS4" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTJS4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTJS4151PT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2608 |
NTJS4151PT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 39366 |
NTJS4151PT1G IC | MSV | CIs Calientes Especializados | 3257 |
NTJS4151PT1G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 548 |
NTJS4160NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 83272 |
NTJS4160NT1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
NTJS4405N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 18467 |
NTJS4405NT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2700 |
NTJS4405NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 113831 |
NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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Medidores de Panel
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