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NTHS4166NT1G Especificaciones técnicas
MOSFET CHPFT SNGL 30V 8.2A NFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | C BEND |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 800mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A Ta |
Rise Time | 11ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.022Ohm |
Height | 1.1mm |
Width | 1.7mm |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 4.9A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.6A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4.9A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Length | 3.1mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTHS4166NT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTHS4166NT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTHS4" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTHS4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTHS4101PT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 6180 |
NTHS4101PT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1115 |
NTHS4101PT1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTHS4111PT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 2962 |
NTHS4111PT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2557 |
NTHS4111PT1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
NTHS4166NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10696 |
NTHS4501NT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4000 |
NTHS4501NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5191 |
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