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NTHC5513T1G Especificaciones técnicas
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 1.1W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 8 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 1.1W |
FET Type | N and P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 2.9A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Continuous Drain Current (ID) | 3.9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10A |
FET Feature | Logic Level Gate |
Height | 1.1mm |
Width | 1.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 20V |
Terminal Form | C BEND |
Current Rating | 3.1A |
Base Part Number | NTHC5513 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A 2.2A |
Rise Time | 13ns |
Turn-Off Delay Time | 33 ns |
Threshold Voltage | 600mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Nominal Vgs | 600 mV |
Length | 3.1mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTHC5513T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTHC5513T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTHC5" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTHC5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTHC5513T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 1881 |
NTHC5513T1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTHC5513T1 MOSFETIGBTIC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1848 |
NTHC5513T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 25954 |
NTHC5513T1G MOSFETIGBTIC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1251 |
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