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NTD5865N-1G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form THROUGH-HOLE
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 71W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1261pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 3.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 38A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 18MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 52W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A Tc
Rise Time 17ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 36 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD5802N ON CIs Calientes Especializados 23171
NTD5802NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 395
NTD5802NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD5803N ON CIs Calientes Especializados 23263
NTD5803NG ON CIs Calientes Especializados 2637
NTD5803NG MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 430
NTD5803NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 462
NTD5803NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD5803NT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 371
NTD5804N ON CIs Calientes Especializados 18817

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