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NTD5806NT4G Especificaciones técnicas
NTD5806NT4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 40W |
Turn On Delay Time | 10.6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A Tc |
Rise Time | 49ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 14.2 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 65A |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 19MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 40W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19m Ω @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 2.6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 33A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 38 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NTD5806NT4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTD5806NT4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTD58" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTD58'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD5802N | ON | CIs Calientes Especializados | 23171 |
NTD5802NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 395 |
NTD5802NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD5803N | ON | CIs Calientes Especializados | 23263 |
NTD5803NG | ON | CIs Calientes Especializados | 2637 |
NTD5803NG MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 430 |
NTD5803NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 462 |
NTD5803NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD5803NT4G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 371 |
NTD5804N | ON | CIs Calientes Especializados | 18817 |
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