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NTD5414NT4G Especificaciones técnicas

MOSFET 30A, 60V, 42mOhms N-Channel

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 55W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37m Ω @ 24A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 69 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
Drain-source On Resistance-Max 0.037Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75A
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 55W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Ta
Rise Time 58ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status RoHS Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'NTD54' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD5406N ON CIs Calientes Especializados 83603
NTD5406NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 42423
NTD5406NG MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10356
NTD5406NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5393
NTD5406NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD5406NT4G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 360
NTD5406NT4G  AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 50319
NTD5406T4G O CIs Calientes Especializados 37363
NTD5407N ON CIs Calientes Especializados 23057
NTD5407NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37363

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