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NTD4909NT4G Especificaciones técnicas
MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 12MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 1.37W Ta 29.4W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1314pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 12.1A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8.8A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 28 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.37W |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A Ta 41A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Turn-Off Delay Time | 21 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTD4909NT4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTD4909NT4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTD49" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTD49'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD4904N | ON | CIs Calientes Especializados | 23079 |
NTD4904N MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 23387 |
NTD4904N-1G | O | CIs Calientes Especializados | 3283 |
NTD4904N-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2274 |
NTD4904N-35G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD4904N-35G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 525 |
NTD4904NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1013 |
NTD4904NT4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD4904NT4G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 15726 |
NTD4905 | ON | CIs Calientes Especializados | 1241 |
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