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NTD4854NT4G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Powers |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49.2nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 8.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 128A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 15.7A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 225A |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 1.43W Ta 93.75W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.7A Ta 128A Tc |
Rise Time | 17.6ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 41 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 25V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 338 mJ |
Lead Free | Lead Free |
NTD4854NT4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTD4854NT4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTD48" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTD48'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD4804 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 21536 |
NTD4804N | TO-252 | CIs Calientes Especializados | 50478 |
NTD4804N-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10329 |
NTD4804N-1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD4804N-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5551 |
NTD4804N-35G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD4804NA-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2696 |
NTD4804NA-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2654 |
NTD4804NAT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10500 |
NTD4804NG | O | CIs Calientes Especializados | 10600 |
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