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NTD4815N-35G Especificaciones técnicas
MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 1.26W Ta 32.6W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 11.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 11.5V |
Fall Time (Typ) | 21.4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 35A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.025Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 87A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 60.5 mJ |
Height | 2.38mm |
Width | 7.49mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 30V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 35A |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 32.6W |
Turn On Delay Time | 10.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A Ta 35A Tc |
Rise Time | 21.4ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 11.4 ns |
Threshold Voltage | 1.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6.9A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Dual Supply Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 2.5 V |
Length | 6.73mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NTD4815N-35G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTD4815N-35G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTD48" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTD48'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD4804 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 21536 |
NTD4804N | TO-252 | CIs Calientes Especializados | 50478 |
NTD4804N-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10329 |
NTD4804N-1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD4804N-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5551 |
NTD4804N-35G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD4804NA-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2696 |
NTD4804NA-35G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2654 |
NTD4804NAT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10500 |
NTD4804NG | O | CIs Calientes Especializados | 10600 |
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