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NTD3055L170-1G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 9A |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 1.5W Ta 28.5W Tj |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Ta |
Rise Time | 69ns |
Vgs (Max) | ±15V |
Turn-Off Delay Time | 10 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 15V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.17Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 27A |
Nominal Vgs | 1.7 V |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 60V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 28.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170m Ω @ 4.5A, 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V |
Fall Time (Typ) | 38 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 9A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 30 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NTD3055L170-1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTD3055L170-1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTD30" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTD30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD3055 | ON | CIs Calientes Especializados | 16931 |
NTD3055-094 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10430 |
NTD3055-094-1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2703 |
NTD3055-094-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10514 |
NTD3055-094-1G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD3055-094G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5090 |
NTD3055-094G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD3055-094T4 | ON | CIs Calientes Especializados | 11000 |
NTD3055-094T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5456 |
NTD3055-094T4G | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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