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NTB5605PT4G Especificaciones técnicas
NTB5605PT4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 7 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Form | GULL WING |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 88W |
Turn On Delay Time | 12.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A Ta |
Rise Time | 122ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V |
Fall Time (Typ) | 75 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 18.5A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 55A |
Length | 10.29mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -18.5A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 88W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140m Ω @ 8.5A, 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 29 ns |
Threshold Voltage | -1.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -60V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NTB5605PT4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTB5605PT4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTB56" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTB56'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTB5605P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32606 |
NTB5605P MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 11532 |
NTB5605PG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10507 |
NTB5605PG MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5374 |
NTB5605PT4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
NTB5605PT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18304 |
NTB5605T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
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