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NTB22N06T4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 22A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 66A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 22A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 60W Tj
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Ta
Rise Time 39ns
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.06Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 72 mJ
Lead Free Contains Lead
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB22N06LT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2723
NTB22N06T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2617

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